| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | AS1M025120T |
| Código da Peça EBEE | E85569900 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.6782 | $ 16.6782 |
| 210+ | $6.6553 | $ 1397.6130 |
| 510+ | $6.4325 | $ 3280.5750 |
| 990+ | $6.3230 | $ 6259.7700 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | AnBon AS1M025120T | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 370W | |
| Corrente de drenagem contínua | 65A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.6782 | $ 16.6782 |
| 210+ | $6.6553 | $ 1397.6130 |
| 510+ | $6.4325 | $ 3280.5750 |
| 990+ | $6.3230 | $ 6259.7700 |
