실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)

검색 결과 실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)30

제조업체

  • SUPSiC

패키지

  • TO247-3
  • TO-247-3
  • TO-247-4
  • TO247-4

이득 대역폭 곱(GBP)

  • -
  • -40℃~+150℃
  • -55℃~+150℃
  • -40℃~+175℃
  • -55℃~+175℃

트립 전류

  • 150W
  • 125W
  • 192W
  • 69W
  • 136W
  • 469W
  • 520W
  • 190W
  • 326W
  • 113.5W
  • 83W
  • 283W
  • 278W
  • 69.4W
  • 97W
  • 556W
  • 416W
  • 45W
  • 378W

드레인 소스 온상태 저항

  • -
  • 71nC
  • 40nC
  • 22nC
  • 160nC
  • 54nC
  • 164nC
  • 46nC
  • 188nC
  • 101nC
  • 19nC
  • 120nC
  • 21nC
  • 118nC
  • 37nC
  • 53nC
  • 162nC
  • 194nC
  • 9.7nC
  • 38nC
  • 207nC
  • 114nC

게이트 임계값 전압u200b

  • 17A
  • 36A
  • 34A
  • 25A
  • 5A
  • 32A
  • 100A
  • 90A
  • 37A
  • 72A
  • 55A
  • 22A
  • 66A
  • 120A
  • 63A
  • 11A
  • 29A
  • 115A
  • 18A
  • 81A
  • 10.2A

입력 커패시턴스

  • 7.5pF
  • 2.2pF
  • 2pF
  • 13pF
  • 9pF
  • 6.7pF
  • -
  • 5pF
  • 4pF
  • 11pF
  • 48pF
  • 8pF
  • 31pF
  • 12pF
  • 3pF

출력 커패시턴스

  • -
  • 1130pF
  • 215pF
  • 1390pF
  • 1020pF
  • 3672pF
  • 2900pF
  • 267pF
  • 2440pF
  • 414pF
  • 3357pF
  • 760pF
  • 606pF
  • 5011pF
  • 4818pF
  • 3140pF
  • 204pF
  • 632pF
  • 6085pF

용량 범위

  • 58pF
  • 80pF
  • 103pF
  • 31pF
  • 171pF
  • 3pF
  • 129pF
  • 70pF
  • 66pF
  • 289pF
  • 180pF
  • 224pF
  • 26pF
  • 39pF
  • 230pF
  • 48pF

세그먼트 구동 전류

  • -

공급 전압(VCCB)

  • 1 N-Channel

드레인 소스 온상태 저항(18V)

  • -
  • 75mΩ
  • 60mΩ
  • 16mΩ
  • 160mΩ
  • 40mΩ
  • 120mΩ
  • 32mΩ
  • 65mΩ
  • 15mΩ
  • 21mΩ
  • 320mΩ

드레인 소스 온상태 저항(20V)

  • -

Vgs(일)

  • 80mΩ
  • 0.8Ω
  • 45mΩ
  • -
  • 320mΩ
  • 160mΩ
  • 25mΩ

캡슐화된 유형

  • 2.9V
  • 2.8V
  • 2.5V
  • 2.3V
  • 2.6V
  • 2.7V
  • 3.2V

V(BR)DSS

  • -
  • Single Tube

드레인 소스 온상태 저항(10V)

  • 1200V
  • 1700V
  • 650V
  • 900V

드레인 소스 전압

  • -

드레인 소스 임계 전압

  • 650V
  • 1200V
  • 900V
  • 1000V

램프 포함

  • 2.8V
  • -
  • 3.1V
  • 2.1V
  • 2.6V
  • 2.5V
  • 2.9V
  • 2.3V
결과:30
  • 1
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제조사 부품 번호
eBee Part#
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Description
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eBee 부품 번호
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