| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | GC3M0075120D |
| EBEE 부품 번호 | E87435045 |
| 패키지 | TO247-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6058 | $ 4.6058 |
| 10+ | $3.9791 | $ 39.7910 |
| 30+ | $3.6061 | $ 108.1830 |
| 90+ | $3.2293 | $ 290.6370 |
| 600+ | $3.0554 | $ 1833.2400 |
| 900+ | $2.9757 | $ 2678.1300 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | SUPSiC GC3M0075120D | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+175℃ | |
| 전력 소비 | 136W | |
| 총 게이트 요금 | 54nC | |
| 연속 배수 전류 | 32A | |
| 역전송 용량 | 2pF | |
| 입력 커패시턴스 | 1390pF | |
| 출력 커패시턴스 | 58pF | |
| 구성 | - | |
| 채널 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 온상태 저항(15V) | 75mΩ | |
| 드레인 소스 온상태 저항(18V) | - | |
| 드레인 소스 온상태 저항(20V) | - | |
| Vgs(일) | 2.5V | |
| 캡슐화된 유형 | Single Tube | |
| V(BR)DSS | 1200V | |
| 드레인 소스 온상태 저항(10V) | - |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6058 | $ 4.6058 |
| 10+ | $3.9791 | $ 39.7910 |
| 30+ | $3.6061 | $ 108.1830 |
| 90+ | $3.2293 | $ 290.6370 |
| 600+ | $3.0554 | $ 1833.2400 |
| 900+ | $2.9757 | $ 2678.1300 |
