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SUPSiC GC3M0015065D
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | GC3M0015065D |
| EBEE 부품 번호 | E87435023 |
| 패키지 | TO-247-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.5716 | $ 11.5716 |
| 10+ | $10.0454 | $ 100.4540 |
| 30+ | $8.9177 | $ 267.5310 |
| 90+ | $8.1365 | $ 732.2850 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | SUPSiC GC3M0015065D | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 15mΩ@15V | |
| 작동 온도 - | -40℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 31pF | |
| Pd - Power Dissipation | 416W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.011nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 289pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
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129 Stock for Shipping Fast
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.5716 | $ 11.5716 |
| 10+ | $10.0454 | $ 100.4540 |
| 30+ | $8.9177 | $ 267.5310 |
| 90+ | $8.1365 | $ 732.2850 |
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