| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | GC3M0060065K |
| EBEE 부품 번호 | E87435031 |
| 패키지 | TO-247-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2208 | $ 5.2208 |
| 10+ | $4.5272 | $ 45.2720 |
| 30+ | $4.1144 | $ 123.4320 |
| 90+ | $3.6978 | $ 332.8020 |
| 600+ | $3.5059 | $ 2103.5400 |
| 900+ | $3.4190 | $ 3077.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | SUPSiC GC3M0060065K | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+175℃ | |
| 전력 소비 | 150W | |
| 총 게이트 요금 | 46nC | |
| 연속 배수 전류 | 37A | |
| 역전송 용량 | 9pF | |
| 입력 커패시턴스 | 1020pF | |
| 출력 커패시턴스 | 80pF | |
| 구성 | - | |
| 채널 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 온상태 저항(15V) | 60mΩ | |
| 드레인 소스 온상태 저항(18V) | - | |
| 드레인 소스 온상태 저항(20V) | - | |
| Vgs(일) | 2.3V | |
| 캡슐화된 유형 | Single Tube | |
| V(BR)DSS | 650V | |
| 드레인 소스 온상태 저항(10V) | - |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2208 | $ 5.2208 |
| 10+ | $4.5272 | $ 45.2720 |
| 30+ | $4.1144 | $ 123.4320 |
| 90+ | $3.6978 | $ 332.8020 |
| 600+ | $3.5059 | $ 2103.5400 |
| 900+ | $3.4190 | $ 3077.1000 |
