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SUPSiC GC3M0032120K
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | GC3M0032120K |
| EBEE 부품 번호 | E87435053 |
| 패키지 | TO-247-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| 설명 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.2380 | $ 8.2380 |
| 10+ | $6.8292 | $ 68.2920 |
| 30+ | $6.1474 | $ 184.4220 |
| 90+ | $5.5761 | $ 501.8490 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | SUPSiC GC3M0032120K | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 32mΩ@15V | |
| 작동 온도 - | -40℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 283W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 63A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.357nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 129pF | |
| Gate Charge(Qg) | 118nC |
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225 Stock for Shipping Fast
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.2380 | $ 8.2380 |
| 10+ | $6.8292 | $ 68.2920 |
| 30+ | $6.1474 | $ 184.4220 |
| 90+ | $5.5761 | $ 501.8490 |
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