Recommonended For You
이미지는 참고용입니다
즐겨찾기에 추가

SUPSiC GC2M0080120D


제조사
제조사 부품 번호
GC2M0080120D
EBEE 부품 번호
E87435046
패키지
TO247-3
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>
411 재고 있음 바로 배송 가능
411 바로 배송 가능
1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$4.7790$ 4.7790
10+$4.1963$ 41.9630
30+$3.3501$ 100.5030
90+$2.9992$ 269.9280
600+$2.8373$ 1702.3800
900+$2.7642$ 2487.7800
더 많은 수량에 대한 최적 가격?
$
유형설명
전체 선택
카테고리Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
데이터시트SUPSiC GC2M0080120D
RoHS
TypeN-Channel
Configuration-
RDS(on)80mΩ@20V
Operating Temperature --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)7.5pF
Pd - Power Dissipation192W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.9V
Current - Continuous Drain(Id)36A
Ciss-Input Capacitance1.13nF
Output Capacitance(Coss)92pF
Gate Charge(Qg)71nC

쇼핑 가이드

펼치기