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SUPSiC GC2M0280120D
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | GC2M0280120D |
| EBEE 부품 번호 | E87435049 |
| 패키지 | TO247-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9196 | $ 3.9196 |
| 10+ | $3.7425 | $ 37.4250 |
| 30+ | $3.6331 | $ 108.9930 |
| 90+ | $3.5423 | $ 318.8070 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | SUPSiC GC2M0280120D | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 320mΩ@20V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 69.4W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 267pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 31pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC |
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84 Stock for Shipping Fast
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9196 | $ 3.9196 |
| 10+ | $3.7425 | $ 37.4250 |
| 30+ | $3.6331 | $ 108.9930 |
| 90+ | $3.5423 | $ 318.8070 |
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