Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
Tokmas CI72N170SM
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CI72N170SM |
| Référence EBEE | E841782025 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>142 En stock pour livraison rapide
142 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $10.5915 | $ 10.5915 |
| 10+ | $9.1261 | $ 91.2610 |
| 30+ | $8.2338 | $ 247.0140 |
| 90+ | $7.4844 | $ 673.5960 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Tokmas CI72N170SM | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | - | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 6.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 520W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.55nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 165pF | |
| Gate Charge(Qg) | 193nC |
Guide d’achat
Développer
142 Stock for Shipping Fast
142 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $10.5915 | $ 10.5915 |
| 10+ | $9.1261 | $ 91.2610 |
| 30+ | $8.2338 | $ 247.0140 |
| 90+ | $7.4844 | $ 673.5960 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
