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SUPSiC GC3M0060065K


Fabricant
Référence Fabricant
GC3M0060065K
Référence EBEE
E87435031
Boîtier
TO-247-4
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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255 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$5.2604$ 5.2604
10+$4.5566$ 45.5660
30+$3.8512$ 115.5360
90+$3.4286$ 308.5740
600+$3.2347$ 1940.8200
900+$3.1458$ 2831.2200
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$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Fiche TechniqueSUPSiC GC3M0060065K
RoHS
TypeN-Channel
Configuration-
RDS(on)60mΩ@15V
Operating Temperature --40℃~+175℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)9pF
Pd - Power Dissipation150W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.3V
Current - Continuous Drain(Id)37A
Ciss-Input Capacitance1.02nF
Output Capacitance(Coss)80pF
Gate Charge(Qg)46nC

Guide d’achat

Développer