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onsemi NTH4L045N065SC1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTH4L045N065SC1 |
| Référence EBEE | E82902168 |
| Boîtier | TO-247-4L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $14.6365 | $ 14.6365 |
| 10+ | $13.9832 | $ 139.8320 |
| 30+ | $12.8510 | $ 385.5300 |
| 90+ | $11.8641 | $ 1067.7690 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | onsemi NTH4L045N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 50mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 187W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Output Capacitance(Coss) | 162pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $14.6365 | $ 14.6365 |
| 10+ | $13.9832 | $ 139.8320 |
| 30+ | $12.8510 | $ 385.5300 |
| 90+ | $11.8641 | $ 1067.7690 |
