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InventChip IV1Q12050T4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV1Q12050T4 |
| Référence EBEE | E82924638 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.6981 | $ 15.6981 |
| 10+ | $14.5884 | $ 145.8840 |
| 30+ | $13.3071 | $ 399.2130 |
| 90+ | $12.1882 | $ 1096.9380 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | InventChip IV1Q12050T4 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 65mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 344W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.75nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 106pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.6981 | $ 15.6981 |
| 10+ | $14.5884 | $ 145.8840 |
| 30+ | $13.3071 | $ 399.2130 |
| 90+ | $12.1882 | $ 1096.9380 |
