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SUPSiC GC3M0016120D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC3M0016120D |
| Référence EBEE | E87435039 |
| Boîtier | TO247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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108 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $17.7187 | $ 17.7187 |
| 10+ | $16.2961 | $ 162.9610 |
| 30+ | $14.9879 | $ 449.6370 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC3M0016120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 16mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 556W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.085nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 230pF | |
| Gate Charge(Qg) | 207nC |
Guide d’achat
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| 1+ | $17.7187 | $ 17.7187 |
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