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AnBon ASXM028120P
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ASXM028120P |
| Référence EBEE | E829118251 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock: 10
Minimum : 1Multiples : 1
Prix unitaire
$ 12.4351
Prix total
$ 12.4351
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $12.4351 | $ 12.4351 |
| 10+ | $10.2439 | $ 102.4390 |
| 30+ | $9.1836 | $ 275.5080 |
| 90+ | $8.2942 | $ 746.4780 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | AnBon ASXM028120P | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 42mΩ@18V,40A | |
| Pd - Power Dissipation | 500W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Guide d’achat
Développer
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