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Power X KXMW120R80T3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | KXMW120R80T3 |
| Référence EBEE | E820607110 |
| Boîtier | TO-247-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.0573 | $ 7.0573 |
| 10+ | $6.1859 | $ 61.8590 |
| 30+ | $5.6550 | $ 169.6500 |
| 90+ | $5.2093 | $ 468.8370 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Power X KXMW120R80T3 | |
| RoHS | ||
| Power Dissipation | 251W | |
| Continuous Drain Current | 49A | |
| Channel Type | 1 N-Channel | |
| Drain Source Voltage | 1200V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.0573 | $ 7.0573 |
| 10+ | $6.1859 | $ 61.8590 |
| 30+ | $5.6550 | $ 169.6500 |
| 90+ | $5.2093 | $ 468.8370 |
