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Tokmas CI60N120SM5(TOKMAS)
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CI60N120SM5(TOKMAS) |
| Référence EBEE | E821547659 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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| 10+ | $3.4030 | $ 34.0300 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Tokmas CI60N120SM5(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 60mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 11.6pF | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 118pF | |
| Gate Charge(Qg) | 128nC |
Guide d’achat
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