Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
Tokmas CI40N65SM(TOKMAS)
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CI40N65SM(TOKMAS) |
| Référence EBEE | E818214413 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>167 En stock pour livraison rapide
167 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1265 | $ 4.1265 |
| 10+ | $3.5692 | $ 35.6920 |
| 30+ | $3.1135 | $ 93.4050 |
| 90+ | $2.7785 | $ 250.0650 |
| 510+ | $2.6245 | $ 1338.4950 |
| 1020+ | $2.5546 | $ 2605.6920 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Tokmas CI40N65SM(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 65mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC |
Guide d’achat
Développer
167 Stock for Shipping Fast
167 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1265 | $ 4.1265 |
| 10+ | $3.5692 | $ 35.6920 |
| 30+ | $3.1135 | $ 93.4050 |
| 90+ | $2.7785 | $ 250.0650 |
| 510+ | $2.6245 | $ 1338.4950 |
| 1020+ | $2.5546 | $ 2605.6920 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
