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SUPSiC GC3M0120090D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC3M0120090D |
| Référence EBEE | E87435035 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6573 | $ 5.6573 |
| 10+ | $4.8930 | $ 48.9300 |
| 30+ | $4.4389 | $ 133.1670 |
| 90+ | $3.9799 | $ 358.1910 |
| 600+ | $3.7695 | $ 2261.7000 |
| 900+ | $3.6729 | $ 3305.6100 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC3M0120090D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 120mΩ@15V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 97W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 23A | |
| Ciss-Input Capacitance | 414pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 48pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC |
Guide d’achat
Développer
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| 10+ | $4.8930 | $ 48.9300 |
| 30+ | $4.4389 | $ 133.1670 |
| 90+ | $3.9799 | $ 358.1910 |
| 600+ | $3.7695 | $ 2261.7000 |
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