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SUPSiC GC3M0075120K
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC3M0075120K |
| Référence EBEE | E87435055 |
| Boîtier | TO247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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119 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.4331 | $ 5.4331 |
| 10+ | $4.6742 | $ 46.7420 |
| 30+ | $3.8534 | $ 115.6020 |
| 90+ | $3.3977 | $ 305.7930 |
| 600+ | $3.1865 | $ 1911.9000 |
| 900+ | $3.0913 | $ 2782.1700 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC3M0075120K | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 75mΩ@15V | |
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 1+ | $5.4331 | $ 5.4331 |
| 10+ | $4.6742 | $ 46.7420 |
| 30+ | $3.8534 | $ 115.6020 |
| 90+ | $3.3977 | $ 305.7930 |
| 600+ | $3.1865 | $ 1911.9000 |
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