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SUPSiC GC3M0065100K
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC3M0065100K |
| Référence EBEE | E87435037 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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158 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $8.0428 | $ 8.0428 |
| 10+ | $7.0232 | $ 70.2320 |
| 30+ | $6.2692 | $ 188.0760 |
| 90+ | $5.7476 | $ 517.2840 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC3M0065100K | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 65mΩ@15V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113.5W | |
| Drain to Source Voltage | 1kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 760pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 37nC |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $8.0428 | $ 8.0428 |
| 10+ | $7.0232 | $ 70.2320 |
| 30+ | $6.2692 | $ 188.0760 |
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