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SUPSiC GC3M0065090D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC3M0065090D |
| Référence EBEE | E87435034 |
| Boîtier | TO247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 10+ | $4.7990 | $ 47.9900 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC3M0065090D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 65mΩ@15V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 760pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 66pF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC |
Guide d’achat
Développer
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