Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
SUPSiC GC3M0032120K
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC3M0032120K |
| Référence EBEE | E87435053 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>225 En stock pour livraison rapide
225 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $8.2380 | $ 8.2380 |
| 10+ | $6.8292 | $ 68.2920 |
| 30+ | $6.1474 | $ 184.4220 |
| 90+ | $5.5761 | $ 501.8490 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC3M0032120K | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 32mΩ@15V | |
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 283W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 63A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.357nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 129pF | |
| Gate Charge(Qg) | 118nC |
Guide d’achat
Développer
225 Stock for Shipping Fast
225 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $8.2380 | $ 8.2380 |
| 10+ | $6.8292 | $ 68.2920 |
| 30+ | $6.1474 | $ 184.4220 |
| 90+ | $5.5761 | $ 501.8490 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
