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SUPSiC GC3M0015065D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC3M0015065D |
| Référence EBEE | E87435023 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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129 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.5716 | $ 11.5716 |
| 10+ | $10.0454 | $ 100.4540 |
| 30+ | $8.9177 | $ 267.5310 |
| 90+ | $8.1365 | $ 732.2850 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC3M0015065D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 15mΩ@15V | |
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 31pF | |
| Pd - Power Dissipation | 416W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.011nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 289pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 1+ | $11.5716 | $ 11.5716 |
| 10+ | $10.0454 | $ 100.4540 |
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