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SUPSiC GC2M0280120D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC2M0280120D |
| Référence EBEE | E87435049 |
| Boîtier | TO247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9196 | $ 3.9196 |
| 10+ | $3.7425 | $ 37.4250 |
| 30+ | $3.6331 | $ 108.9930 |
| 90+ | $3.5423 | $ 318.8070 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC2M0280120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 320mΩ@20V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 69.4W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 267pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 31pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC |
Guide d’achat
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