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SUPSiC GC2M0080120D


Fabricant
Référence Fabricant
GC2M0080120D
Référence EBEE
E87435046
Boîtier
TO247-3
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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411 En stock pour livraison rapide
411 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$4.7790$ 4.7790
10+$4.1963$ 41.9630
30+$3.3501$ 100.5030
90+$2.9992$ 269.9280
600+$2.8373$ 1702.3800
900+$2.7642$ 2487.7800
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Fiche TechniqueSUPSiC GC2M0080120D
RoHS
TypeN-Channel
Configuration-
RDS(on)80mΩ@20V
Operating Temperature --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)7.5pF
Pd - Power Dissipation192W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.9V
Current - Continuous Drain(Id)36A
Ciss-Input Capacitance1.13nF
Output Capacitance(Coss)92pF
Gate Charge(Qg)71nC

Guide d’achat

Développer