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SUPSiC GC2M0045170D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC2M0045170D |
| Référence EBEE | E87435058 |
| Boîtier | TO247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $21.4516 | $ 21.4516 |
| 3+ | $19.9633 | $ 59.8899 |
| 30+ | $18.9710 | $ 569.1300 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC2M0045170D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 45mΩ@20V | |
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 6.7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 520W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.672nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 176pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
Guide d’achat
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