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SUPSiC GC2M0040120D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC2M0040120D |
| Référence EBEE | E87435044 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
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| 10+ | $6.9827 | $ 69.8270 |
| 30+ | $5.8174 | $ 174.5220 |
| 90+ | $5.3601 | $ 482.4090 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC2M0040120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 80mΩ@20V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 11pF | |
| Pd - Power Dissipation | 278W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.44nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 171pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
Guide d’achat
Développer
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| 1+ | $7.8782 | $ 7.8782 |
| 10+ | $6.9827 | $ 69.8270 |
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