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STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SCTWA70N120G2V-4 |
| Référence EBEE | E85268808 |
| Boîtier | HiP-247-4 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | HiP-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $23.2782 | $ 23.2782 |
| 30+ | $22.4835 | $ 674.5050 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| RoHS |
Guide d’achat
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| 1+ | $23.2782 | $ 23.2782 |
| 30+ | $22.4835 | $ 674.5050 |
