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STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SCTWA60N120G2-4 |
| Référence EBEE | E83281096 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $33.8274 | $ 33.8274 |
| 3+ | $30.5220 | $ 91.5660 |
| 30+ | $29.2499 | $ 877.4970 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4 | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 388W | |
| Courant d'égout continu | 60A | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| Tension de source d'égout | 1200V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $33.8274 | $ 33.8274 |
| 3+ | $30.5220 | $ 91.5660 |
| 30+ | $29.2499 | $ 877.4970 |
