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STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SCTWA40N120G2V-4 |
| Référence EBEE | E85268807 |
| Boîtier | HiP-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | HiP-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 100mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+200℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 277W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.45V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.233nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 61nC |
Guide d’achat
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