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STMicroelectronics SCTWA35N65G2V
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SCTWA35N65G2V |
| Référence EBEE | E83281008 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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6 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.2855 | $ 15.2855 |
| 10+ | $14.6019 | $ 146.0190 |
| 30+ | $13.4207 | $ 402.6210 |
| 100+ | $12.3890 | $ 1238.9000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics SCTWA35N65G2V | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 67mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+200℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 208W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 1+ | $15.2855 | $ 15.2855 |
| 10+ | $14.6019 | $ 146.0190 |
| 30+ | $13.4207 | $ 402.6210 |
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