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STMicroelectronics SCTWA30N120
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SCTWA30N120 |
| Référence EBEE | E8472656 |
| Boîtier | HiP-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $22.2494 | $ 22.2494 |
| 30+ | $21.2189 | $ 636.5670 |
| 90+ | $20.9610 | $ 1886.4900 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics SCTWA30N120 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 100mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+200℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 25pF | |
| Pd - Power Dissipation | 270W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 130pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC |
Guide d’achat
Développer
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