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STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SCTW40N120G2VAG |
| Référence EBEE | E8472655 |
| Boîtier | HiP-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 105mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+200℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 290W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.23nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
Guide d’achat
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