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STMicroelectronics SCTW100N65G2AG
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SCTW100N65G2AG |
| Référence EBEE | E8472654 |
| Boîtier | HiP-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $41.6082 | $ 41.6082 |
| 30+ | $39.7535 | $ 1192.6050 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics SCTW100N65G2AG | |
| RoHS |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $41.6082 | $ 41.6082 |
| 30+ | $39.7535 | $ 1192.6050 |
