| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SCT040HU65G3AG |
| Référence EBEE | E85268816 |
| Boîtier | HU3PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | HU3PAK Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $17.2439 | $ 17.2439 |
| 10+ | $16.3742 | $ 163.7420 |
| 30+ | $14.8682 | $ 446.0460 |
| 100+ | $13.5549 | $ 1355.4900 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics SCT040HU65G3AG | |
| RoHS | ||
| Pd - Power Dissipation | 221W | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $17.2439 | $ 17.2439 |
| 10+ | $16.3742 | $ 163.7420 |
| 30+ | $14.8682 | $ 446.0460 |
| 100+ | $13.5549 | $ 1355.4900 |
