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Siliup SP50N120CTK
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SP50N120CTK |
| Référence EBEE | E822466829 |
| Boîtier | TO-247-4L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $2.8886 | $ 28.8860 |
| 30+ | $2.5796 | $ 77.3880 |
| 90+ | $2.2677 | $ 204.0930 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Siliup SP50N120CTK | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 35mΩ@18V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 12pF | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 74A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.975nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 119pF | |
| Gate Charge(Qg) | 117nC |
Guide d’achat
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| 10+ | $2.8886 | $ 28.8860 |
| 30+ | $2.5796 | $ 77.3880 |
| 90+ | $2.2677 | $ 204.0930 |
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