5% off
Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
Siliup SP35N120CTF
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SP35N120CTF |
| Référence EBEE | E822466830 |
| Boîtier | TO-247-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>80 En stock pour livraison rapide
80 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5272 | $ 6.5272 |
| 10+ | $5.6248 | $ 56.2480 |
| 30+ | $4.9585 | $ 148.7550 |
| 90+ | $4.4968 | $ 404.7120 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Siliup SP35N120CTF | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 60mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 327W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.56nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 121pF | |
| Gate Charge(Qg) | 124nC |
Guide d’achat
Développer
80 Stock for Shipping Fast
80 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5272 | $ 6.5272 |
| 10+ | $5.6248 | $ 56.2480 |
| 30+ | $4.9585 | $ 148.7550 |
| 90+ | $4.4968 | $ 404.7120 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
