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Siliup SP25N120CTK


Fabricant
Référence Fabricant
SP25N120CTK
Référence EBEE
E822466831
Boîtier
TO-247-4L
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$2.0866$ 2.0866
10+$1.7623$ 17.6230
30+$1.5919$ 47.7570
90+$1.3850$ 124.6500
510+$1.2906$ 658.2060
990+$1.2495$ 1237.0050
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TypeDescription
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CatégorieDispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET)
Fiche TechniqueSiliup SP25N120CTK
RoHS
TypeN-Channel
RDS (on)60mΩ@18V
Température de fonctionnement-55℃~+175℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)5pF
Pd - Power Dissipation171W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Current - Continuous Drain(Id)52A
Ciss-Input Capacitance1.92nF
Output Capacitance(Coss)80pF
Gate Charge(Qg)87nC

Guide d’achat

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