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Sichainsemi SG2M040120L
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SG2M040120L |
| Référence EBEE | E837636037 |
| Boîtier | TO-247-4L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.3061 | $ 5.3061 |
| 10+ | $4.5234 | $ 45.2340 |
| 30+ | $4.0582 | $ 121.7460 |
| 90+ | $3.5882 | $ 322.9380 |
| 510+ | $3.3707 | $ 1719.0570 |
| 990+ | $3.2723 | $ 3239.5770 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Sichainsemi SG2M040120L | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 52mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 268W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 62A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.171nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 109pF | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 1+ | $5.3061 | $ 5.3061 |
| 10+ | $4.5234 | $ 45.2340 |
| 30+ | $4.0582 | $ 121.7460 |
| 90+ | $3.5882 | $ 322.9380 |
| 510+ | $3.3707 | $ 1719.0570 |
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