| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SG2M020170H |
| Référence EBEE | E837636036 |
| Boîtier | TO-247-4L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $83.0723 | $ 83.0723 |
| 200+ | $33.1475 | $ 6629.5000 |
| 500+ | $32.0399 | $ 16019.9500 |
| 1000+ | $31.4915 | $ 31491.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Sichainsemi SG2M020170H | |
| RoHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $83.0723 | $ 83.0723 |
| 200+ | $33.1475 | $ 6629.5000 |
| 500+ | $32.0399 | $ 16019.9500 |
| 1000+ | $31.4915 | $ 31491.5000 |
