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Sichainsemi SG1M160120J
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SG1M160120J |
| Référence EBEE | E822363612 |
| Boîtier | TO-263-7L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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| 10+ | $1.9920 | $ 19.9200 |
| 50+ | $1.7991 | $ 89.9550 |
| 100+ | $1.5776 | $ 157.7600 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Sichainsemi SG1M160120J | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 21A | |
| Ciss-Input Capacitance | 617pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25.4nC |
Guide d’achat
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