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Sichainsemi S1P05R120HBB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | S1P05R120HBB |
| Référence EBEE | E837636038 |
| Boîtier | Through Hole,62.8x56.8mm |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | Plugin,62.8x56.8mm Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Sichainsemi S1P05R120HBB | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Guide d’achat
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