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Sichainsemi S1M075120J2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | S1M075120J2 |
| Référence EBEE | E822363611 |
| Boîtier | TO-263-7L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7572 | $ 2.7572 |
| 10+ | $2.6213 | $ 26.2130 |
| 50+ | $2.5419 | $ 127.0950 |
| 100+ | $2.4599 | $ 245.9900 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Sichainsemi S1M075120J2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 75mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 169W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 39A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.02nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
Guide d’achat
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| 50+ | $2.5419 | $ 127.0950 |
| 100+ | $2.4599 | $ 245.9900 |
| 500+ | $2.4222 | $ 1211.1000 |
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