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Sichainsemi S1M040120H
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | S1M040120H |
| Référence EBEE | E822363605 |
| Boîtier | TO-247-4L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0002 | $ 3.0002 |
| 10+ | $2.5911 | $ 25.9110 |
| 30+ | $2.3155 | $ 69.4650 |
| 90+ | $2.0704 | $ 186.3360 |
| 510+ | $1.9574 | $ 998.2740 |
| 990+ | $1.9053 | $ 1886.2470 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Sichainsemi S1M040120H | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 32mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| Pd - Power Dissipation | 357W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 76A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.159nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 127pF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 1+ | $3.0002 | $ 3.0002 |
| 10+ | $2.5911 | $ 25.9110 |
| 30+ | $2.3155 | $ 69.4650 |
| 90+ | $2.0704 | $ 186.3360 |
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