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Sichainsemi S1M014120H
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | S1M014120H |
| Référence EBEE | E822363603 |
| Boîtier | TO-247-4L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Sichainsemi S1M014120H | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 14mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 625W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 152A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.469nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 235pF | |
| Gate Charge(Qg) | 230nC |
Guide d’achat
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