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Sichainsemi S1M007120PD
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | S1M007120PD |
| Référence EBEE | E837636035 |
| Boîtier | TO-247-4L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $99.6867 | $ 99.6867 |
| 200+ | $39.7770 | $ 7955.4000 |
| 500+ | $38.4468 | $ 19223.4000 |
| 1000+ | $37.7898 | $ 37789.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Sichainsemi S1M007120PD | |
| RoHS |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $99.6867 | $ 99.6867 |
| 200+ | $39.7770 | $ 7955.4000 |
| 500+ | $38.4468 | $ 19223.4000 |
| 1000+ | $37.7898 | $ 37789.8000 |
