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ROHM Semicon SCT3120ALGC11
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SCT3120ALGC11 |
| Référence EBEE | E8191056 |
| Boîtier | TO-247AC-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247AC-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.8296 | $ 5.8296 |
| 10+ | $5.0738 | $ 50.7380 |
| 30+ | $4.6137 | $ 138.4110 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon SCT3120ALGC11 | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 103W | |
| Courant d'égout continu | 21A | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| V(BR)DSS | 650V |
Guide d’achat
Développer
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