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ROHM Semicon BSM300C12P3E301


Fabricant
Référence Fabricant
BSM300C12P3E301
Référence EBEE
E86132527
Boîtier
-
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$414.7914$ 414.7914
200+$389.5725$ 77914.5000
500+$376.5542$ 188277.1000
1000+$370.1216$ 370121.6000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET)
Fiche TechniqueROHM Semicon BSM300C12P3E301
RoHS
Dissipation du pouvoir1360W
Courant d'égout continu300A
Type de canal1 N-Channel
Tension de source d'égout1200V

Guide d’achat

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