| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BSM300C12P3E301 |
| Référence EBEE | E86132527 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $414.7914 | $ 414.7914 |
| 200+ | $389.5725 | $ 77914.5000 |
| 500+ | $376.5542 | $ 188277.1000 |
| 1000+ | $370.1216 | $ 370121.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon BSM300C12P3E301 | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 1360W | |
| Courant d'égout continu | 300A | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| Tension de source d'égout | 1200V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $414.7914 | $ 414.7914 |
| 200+ | $389.5725 | $ 77914.5000 |
| 500+ | $376.5542 | $ 188277.1000 |
| 1000+ | $370.1216 | $ 370121.6000 |
