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ROHM Semicon BSM180C12P2E202
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BSM180C12P2E202 |
| Référence EBEE | E85955632 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $290.3541 | $ 290.3541 |
| 200+ | $272.6993 | $ 54539.8600 |
| 500+ | $263.5872 | $ 131793.6000 |
| 1000+ | $259.0841 | $ 259084.1000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 1360W | |
| Courant d'égout continu | 204A | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| Tension de source d'égout | 1200V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $290.3541 | $ 290.3541 |
| 200+ | $272.6993 | $ 54539.8600 |
| 500+ | $263.5872 | $ 131793.6000 |
| 1000+ | $259.0841 | $ 259084.1000 |
