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Qorvo UJ3C120080K3S
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | UJ3C120080K3S |
| Référence EBEE | E86731596 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $30.9396 | $ 30.9396 |
| 10+ | $30.0577 | $ 300.5770 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Qorvo UJ3C120080K3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 254.2W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A |
Guide d’achat
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| 1+ | $30.9396 | $ 30.9396 |
| 10+ | $30.0577 | $ 300.5770 |
